等離子化學氣相沉積-PECVD

等離子化學氣相沉積-PECVD，為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積法。它是由500W射頻電源、1200℃單溫區(qū)管式爐、三通道質(zhì)量流量混氣系統(tǒng)和真空系統(tǒng)組成。此款設備用于生長納米線、石墨烯或SIC薄膜等

為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積法。它是由500W射頻電源、1200℃單溫區(qū)管式爐、三通道質(zhì)量流量混氣系統(tǒng)和真空系統(tǒng)組成。此款 設備系統(tǒng)用于生長納米線、石墨烯或SIC薄膜等

為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積法。它是由500W射頻電源、1200℃單溫區(qū)管式爐、三通道質(zhì)量流量混氣系統(tǒng)和真空系統(tǒng)組成。此款設備用于生長納米線、石墨烯或SIC薄膜等

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